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Prof. Wenbo Hu
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胡文波
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专利成果
一种金刚石基氮化镓复合晶片及其键合制备方法,2020105866928,发明,2020-7-1,
一种降低铝基材料二次电子发射系数的表面处理方法,202010214903.5,发明,2020-3-24,
一种用于电子倍增器快速精确装配的工装及装配方法,2019110633056,发明,2019-10-31,
一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置及获得方法,2019108126547,发明,2019-8-30,
一种用于抑制二次电子发射的碳基薄膜及其制备方法,2019106220050,发明,2019-7-10,
一种金刚石输能窗及其制备方法,2019105449861,发明,2019-6-21,
一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管异质集成方法,2019102225727,发明,2019-3-22,
一种电子倍增器的结构及组装方法,2018110459572,发明,2018-9-7,
用于氮化镓和金刚石直接键合的生产设备,201821062676.3,实用新型,2018-8-1,
一种氮化镓/金刚石的直接键合方法,201810732475.8,发明,2018-8-1,
共 37 条 1/4
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