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贺朝会

博士生导师
硕士生导师
职称:教授
教师姓名:贺朝会
电子邮箱:
学历:博士研究生毕业
性别:男
学位:博士
在职信息:在职
毕业院校:西安交通大学
所属院系:能源与动力工程学院
学科:核科学与技术
贺朝会的个人主页空间
基本信息

 

教授,博士生导师

教育部新世纪优秀人才

《原子能科学技术》编委

团队成员

教 师

张清民 教    授
刘书焕 教    授

赵耀林 副教授
臧   航 教    授
柳文波 副教授
李永宏 高级工程师

李   培 副教授

何   欢 助理教授
 
博士研究生 
   
    白雨蓉   李宁  李薇  
彭治钢  白豪杰  余昊   

 

硕士研究生 
   
    闫丽彬  童佳男  卢溶  侯锦程  周习瑞  梁家雨  高金山  洪博晖  向爽  何绍威  蒲思雨  

 

 

截止2024年6月已培养博士30名(其中留学生博士2名),硕士35名。

 

硕士:任学明,夏春梅,李海钰,王海峰,李怀斌,彭振驯,张璐,张园园,张锴,杨莹,杨涛,席建琦,雷鸣,赵翔海,曹星庆,富宝锋,许孟轩,李涛,马婷,谭鹏康,黄成亮,申帅帅,杨卫涛,邓亦凡, 曹煜,马浩,穆乐,白雨蓉,赵浩昱,田赏,黄艳,刘勇能,刘佳欣,邵优,白豪杰,王鸿博,        刘胜  

 

博士:李永宏,张鹏,张显鹏,郭达禧,王三丙,宗鹏飞,罗茂益,熊涔,李奎,唐杜,王海,JEREMIAH MONARI KEBWARO,杜雪成,张晋新,樊云云,薄涛,郭晓强,李瑞宾,李培,刘岩,何资星,赵雯,WASEEM KHAN,魏佳男,胡志良,杨卫涛,何欢,廖文龙,李洋,郭亚鑫

联系方式

Email:hechaohui@xjtu.edu.cn

个人主页:hechaohui.gr.xjtu.edu.cn 

团队主页:http://nt.xjtu.edu.cn/

 

通信地址:西安交通大学         

             能源与动力工程学院

             核科学与技术学院
邮编:   710049

办公室:北二楼8717
 

教育经历

19897月毕业于北京大学技术物理系核物理专业,获理学学士学位。

19928月至19937月在北京大学技术物理系学习硕士研究生基础理论课。

19956月毕业于西北核技术研究所,获核电子学与探测技术专业硕士学位。

19995月毕业于西安交通大学,获电子科学与技术学科博士学位。

工作经历

1989年至2004年在西北核技术研究所工作,从事放射性核素测量与分析、半导体器件辐射效应理论与实验研究。

2004年被西安交通大学聘为教授;入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”。

2005年入选中国科技论文在线知名学者;被兰州大学聘为兼职教授。

2006年当选陕西省核学会理事;西安交通大学博士生导师。

2009年入选《原子能科学技术》编委。中国宇航学会会员。

2010年10月-2011年10美国University of Wisconsin-Madison访问学者

2012年入选陕西省核与辐射安全专家库。

2013年当选中国核学会辐射物理分会理事,享受陕西省“三秦人才”津贴。

2014年被聘为中国核学会核测试与分析分会常务理事、中国核学会核化学与放射化学分会环境放射化学专业委员会委员;入选中国电子学会高级会员。

2017年被聘为中国仿真学会集成微系统建模与仿真专业委员会委员。

2019年被聘为Editorial Board Member of the International Journal of Advanced Nuclear Reactor Design and Technology (JANDT)。

2020年入选国防科技工业抗辐照应用技术创新中心理事。

2021年被聘为中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术实验室学术委员会委员。

目前为IEEE Transactions on Nuclear ScienceJournal of Nuclear MaterialsJournal of Radioanalytical and Nuclear ChemistryNuclear Science and TechniquesSCIENCE CHINAChinese PhysicsChinese Science Bulletin、物理学报、原子能科学技术、核技术、半导体学报、质谱学报、空间科学学报、宇航学报、中国国防科技大学学报、北京航空航天大学学报、信息与电子工程等学术期刊的审稿人;国家科技奖评审人;曾担任国际核工程大会(ICONE)分会主席或副主席;曾任核科学与技术学院副院长。

研究领域

       目前研究方向主要为:

          1)电子元器件、集成电路和微纳系统的辐照效应,特别是系统芯片(SoC)和系统级封装(SiP)的辐照效应;
          2)半导体材料的辐照效应,特别是SiC、GaN等新型半导体材料的辐照效应;
          3)核辐射测量。