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论文成果

Room temperature bonding of GaN on diamond wafers by using Mo/Au nano-layer for high-power semiconductor devices

发布时间:2025-04-30  点击次数:

发布时间:2025-04-30

论文名称:Room temperature bonding of GaN on diamond wafers by using Mo/Au nano-layer for high-power semiconductor devices

发表刊物:Scripta Materialia

摘要:a

合写作者:Kang Wang, Kun Ruan, Wenbo Hu*, Shengli Wu, Hongxing Wang

是否译文:

发表时间:2019-08-24

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