发布时间：2025-04-30

论文名称：High-threshold-voltage and low-leakage-current of normally-off H-diamond FET with self-aligned Zr/ZrO2 gate

发表刊物：Diamond and Related Materials

合写作者：F Wang, GQ Chen, W Wang, MH Zhang, S He, GQ Shao, YF Wang, WB Hu, HX Wang*

卷号：134

页面范围：109774

是否译文：否

发表时间：2023-03-20