研究主要包括（超）宽禁带半导体器件工作原理、仿真模拟和工艺制备，以及脉冲辐射场诊断工作等，涉及电子科学与技术、核科学与技术与电气工程及其自动化等多学科交叉，主要为：
1. 新型（超）宽禁带半导体核辐射探测技术及半导体器件辐照环境可靠性研究
2. 低温超临界流体技术、辐照改性技术等在半导体材料及其器件改性方面研究
课题组与国家多家大型科研机构和企业开展战略性合作，针对国家重大战略需求，主要方向如下
1. 新型宽禁带半导体核辐射探测器及其系统化集成电路研制；以碳化硅和氮化镓材料为主的多种宽禁带材料，每年可流片
2. 超宽禁带半导体（氧化镓、氮化铝）器件制备，及其脉冲辐射场测量、电力电子系统功能型模块设计；实验室自主工艺
3. 宽禁带半导体器件极端环境应用可靠性及超临界流体损伤修复工艺研究；依托国家大型科学装置