课题组注重与国内大型战略科研研究院所及宽禁带半导体行业交流合作,面向重大战略需求开展交叉领域研究工作。欢迎对新型宽禁带半导体器件及其应用感兴趣的同学报考、咨询。
在研课题方向:
[1] SiC内增益核辐射探测器件及CMOS集成电路研制;应用研究
[2] 超临界流体工艺对超宽禁带半导体异质结构器件作用机制;新型工艺
[3] 基于微波原理的新型光电/辐射探测、成像系统;系统级设计
[4] 基于“核-电-光”机制/多势垒载流子输运机制的新型光电/核辐射器件探索;联合培养
[5] 超宽禁带半导体Ga2O3辐射探测技术;联合培养

