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※ 近五年申请(授权)发明专利:
- 一种高频响微差压传感器芯片结构与制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 202210870988.1，申请时间：2022.07.22，授权日：2024.07.30，发明人：韩香广，高漪，赵立波，皇咪咪，樊姝，陈科，尚钰杰，吴豫席，杨萍，王永录，王小章，王久洪，蒋庄德。
- 一种微型化硅基多维力/力矩传感器，中国发明专利，申请号：202410352388.5，申请日：2024.03.26，发明人：赵立波，谭仁杰，韩香广，夏勇，高文迪，王琛英，贾琛，杨萍，林启敬，董林玺，乔智霞，李伟，蒋庄德。
- 一种低串扰多冗余薄膜压力传感器芯体及制备方法，中国发明专利，申请号：202410531765.1，申请日：2024.04.29，发明人：赵立波，尚钰杰，韩香广，赵阳，单王珍，乔智霞，李伟，韩枫，高漪，王涛，王圣旗，陈率，王永录，杨萍，蒋庄德。
- 一种基于有机电化学晶体管的柔性压痛传感器及其制备方法，中国发明专利，申请号：CN 202311332727.5，申请日：2023.10.13, 发明人：李支康，王斌，王佳翔，芦继健，赵康，贾博清，罗国希，李敏，韩香广，赵立波。
- 用于寒冷环境水压测量的抗结冻过载充油式芯体封装结构，中国发明专利，申请号：202410709685.0，申请日：2024.06.03，发明人：王久洪，王圣旗，韩香广，乔智霞，赵立波，皇咪咪，高漪，尚钰杰。
- 一种加速度传感器测试装置及测试方法，中国发明专利，申请号：202410960806.9，申请日：2024.07.17，发明人：夏勇，王涛，赵立波，吕阳，韩香广，贾琛，于明智，陈率，赵阳，王圣旗，侯晓伟，赵子龙，卢德江。
- 一种超低频多方向压电振动能量收集器及能量收集方法，中国发明专利，授权号：ZL 202110998554.5，申请时间：2021.08.27，授权日：2024.05.07，发明人：王路，赵立波，韩香广，费振轩，王骞，陈瑶，罗国希，卢德江，李支康，李敏，杨萍，王永录，王久洪，蒋庄德。
- 一种表压式谐振压力传感器及制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 202210609327.3，申请时间：2022.05.31，授权日：2023.08.18，发明人：韩香广，赵立波，邱煜祥，王李，皇咪咪，陈翠兰，樊姝，高漪，陈科，尚钰杰，杨萍，卢德江，王久洪，蒋庄德。
- 一种基于自动学习和集成学习的静电形成纳米线半导体VOCs识别方法，申请号：202310384296.0，申请日期：2023.4.11，发明人：赵立波、杨晓凯、韩香广、夏勇、李敏、贾琛、杨萍、林启敬、蒋庄德。
- 一种具有位置无关纯轴向变形压阻梁的MEMS压阻式加速度计芯片及其制备方法，申请号：202211715305.1，申请日期：2022.12.29，发明人：夏勇、王延斌、赵立波、于明智、卢德江、贾琛、韩香广、李支康、林启敬、杨萍、蒋庄德。
- 一种高频响微差压传感器芯片结构与制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 202210870988.1，申请时间：2022.07.22，授权日：2024.7.30，发明人：韩香广、高漪、赵立波、皇咪咪、樊姝、陈科、尚钰杰、吴豫席、杨萍、王永录、王小章、王久洪、蒋庄德。
- 一种耐高压MEMS压力传感器封装结构和封装方法，中国发明专利，授权号：ZL 202210822045.1，申请时间：2022.07.13，授权日：2024.7.26，发明人：赵立波、樊姝、韩香广、皇咪咪、李支康、王李、高漪、尚钰杰、陈科、王小章、杨萍、王久洪、苏文斌、蒋庄德。
- 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 202111595510.4，申请日：2021.12.23，授权日：2022.11.11，发明人：赵立波、谭仁杰、高文迪、韩香广、卢德江、王路、李敏、董林玺、杨萍、林启敬、蒋庄德。
- 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺，中国发明专利，授权号：ZL 202111595513.8，申请日：2021.12.23，授权日：2022.11.11，发明人：赵立波、谭仁杰、韩香广、高文迪、李敏、陈瑶、董林玺、杨萍、王小章、王久洪、蒋庄德。
- 基于电容检测原理的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 202111592764.0，申请日：2021.12.23，授权发文日：2022.11.11，发明人：赵立波、谭仁杰、黄琳雅、韩香广、高文迪、李敏、董林玺、王李、杨萍、王永录、蒋庄德。
- 一种十字梁膜应力集中微压传感器芯片及其制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 202110462429.2，申请日期：2021.4.27，授权发文日：2023.3.26，发明人：王鸿雁、李学琛、关卫军、吴永顺、魏于昆、山涛、王爱华、付磊、赵立波、韩香广、皇咪咪、徐廷中、杨萍、王李、陈翠兰、罗国希、王永录、蒋庄德。
- 一种压阻梁应力集中微压传感器芯片及其制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 202110462455.5，申请日期：2021.4.27，授权日：2022.12.30，发明人：赵立波、李学琛、韩香广、李伟、乔智霞、皇咪咪、徐廷中、杨萍、王李、陈翠兰、王鸿雁、关卫军、吴永顺、罗国希、王永录、魏于昆、山涛、蒋庄德。
- 具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 202110462410.8，申请日期：2021.4.27，授权日：2022.6.7，发明人：赵立波、李学琛、韩香广、乔智霞、皇咪咪、李伟、徐廷中、杨萍、高漪、王鸿雁、关卫军、吴永顺、李支康、朱瑄、王久洪、魏于昆、山涛、蒋庄德。
- 一种压阻式双轴加速度传感器芯片及其制备方法，中国发明专利，申请号：202110150381.1，申请日期：2021.2.3，发明人：赵立波、贾琛、罗国希、于明智、韩香广、王路、杨萍、李支康、高文迪、陈瑶、王久洪、蒋庄德。
- 一种基于电磁激励电磁检测的硅微谐振式表压传感器芯片，中国发明专利，授权号：ZL 202011140341.0，申请日期：2020.10.22，授权日：2021.9.7，发明人：赵立波、邱煜祥、王李、韩香广、李支康、皇咪咪、杨萍、朱楠、王淞立、赵虎、蒋庄德。
- 一种基于倒装芯片的温度压力集成传感器及其封装方法，中国发明专利，授权号：ZL 202010981260.7，申请日期：2020.09.17，授权日：2021.9.7，发明人：赵立波、王李、韩香广、李支康、邱煜祥、皇咪咪、陈翠兰、李学琛、杨萍、王鸿雁、王永录、吴永顺、魏于昆、山涛、蒋庄德。
- 基于静电激励压阻检测的差动式硅微谐振式压力传感器，中国发明专利，授权号：ZL 202010121087.3, 申请日期：2020.02.26，授权日：2021.5.28，发明人：赵立波、韩香广、李雪娇、王李、于明智、李支康、朱楠、杨萍、闫鑫、王淞立、赵玉龙、蒋庄德。
- 基于电磁激励压阻检测的面内振动硅微谐振式压力传感器，中国发明专利，授权号：ZL 202010121079.9, 申请日期：2020.02.26，授权日：2021.7.13，发明人：赵立波、韩香广、李雪娇、王李、于明智、李支康、朱楠、杨萍、闫鑫、王淞立、赵玉龙、蒋庄德。
- 一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 201910064334.8，申请日：2019.1.23，授权日：2021.1.19，发明人：赵立波、韩香广、李雪娇、郭鑫、皇咪咪、卢德江、王久洪、赵玉龙、蒋庄德。
- 压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及制备方法，中国发明专利，授权号：ZL 201910064348.X，申请日：2019.1.23，授权发文日：2020.11.4，发明人：蒋维乐、李雪娇、赵立波、韩香广、方续东、郭鑫、卢德江、王鸿雁、吴永顺、赵玉龙。
