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Electrical and Thermal Characteristics of AlGaN/GaN HEMT Devices with Dual Metal Gate Structure: A Theoretical Investigation

发布时间:2025-04-30  点击次数:

发布时间:2025-04-30

论文名称:Electrical and Thermal Characteristics of AlGaN/GaN HEMT Devices with Dual Metal Gate Structure: A Theoretical Investigation

发表刊物:Materials

合写作者:YF Qu,NK Deng, Y Yuan, WB Hu*, HX Liu, SL Wu, HX Wang

卷号:15(11)

页面范围:3818

是否译文:

发表时间:2022-06-18

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