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杨建锋

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专利授权:可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法

发布时间:2012-02-22  点击次数:

发布时间:2012-02-22

文章标题:专利授权:可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法

内容:

发明(申请)人 专利名称 发明(申请)专利号 申请时间 授权时间
杨建锋,鲁元,陆伟忠,刘荣臻,乔冠军,金志浩,李春芳 可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法 ZL200910219332.8 2009.12.4 2012.2.1

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