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杨建锋

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戴培赟论文被《Acta Materialia》接收发表

发布时间：2011-06-20 点击次数：

发布时间：2011-06-20

文章标题：戴培赟论文被《Acta Materialia》接收发表

内容：

日前，我校材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟作为第一作者完成的《Fabrication of highly dense pure SiC ceramics via the HTPVT method 》论文被材料科学领域的国际权威杂志《Acta Materialia 》接收，并准备发表。

物理气相传输法(HTPVT)是制备单晶碳化硅的常用方法，在本院碳化硅单晶材料研究的基础上，在杨建锋教授的指导下戴培赟用此方法成功制备出多晶致密碳化硅陶瓷材料，在研究工作中，进行了不同原料密度和烧结工艺的对比试验，建立了碳化硅多晶陶瓷的生长模型，并从热力学和动力学角度解释了碳化硅多晶生长的原理。首次在不需添加烧结助剂的条件下获得了接近理论密度的纯碳化硅块体陶瓷材料，并且碳化硅晶粒具有明显的定向排列。此方法完全不同于现有的碳化硅陶瓷的制备工艺，获得的材料具有优异的性能，在军工、电子、机械等行业具有良好的应用前景，此技术已申请国家发明专利。本研究受到国家基金委项目、教育部博士点基金项目的支持。

Ref.: Ms. No. A-11-167R2
Fabrication of highly dense pure SiC ceramics via the HTPVT method
Acta Materialia

Dear Dr. Yang,

I am pleased to inform you that your manuscript has now been accepted for publication.

Please note that this paper may now be sent to the Copy Editor for language correction. You will have the opportunity to comment on the galley proofs, which Elsevier will send to you by e-mail in due course.

Thank you for publishing your article in Acta Materialia.

Yours sincerely,

Martin P. Harmer
Processing Editor
Acta Materialia

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