2月13日，由《半导体学报(英文)》组织评选的“2025年度半导体十大研究进展”结果正式发布。本次评选共征集到81项高水平候选成果，内容涵盖传统半导体、新材料、集成电路等多个研究领域，展现了我国半导体科研人员在关键领域取得的突破性进展。460位专家学者受邀参与此次评选，从学术原创性、技术前沿性、产业影响力等多个维度对候选成果进行了综合评价。最终遴选出10项优秀成果荣膺2025年度“半导体十大研究进展”和10项优秀成果荣获“半导体十大研究进展”提名奖。

        课题组研究成果荣获“半导体十大研究进展”提名奖。桂小琰教授团队在国际上首次实现了用于可插拔光模块的异质集成单通道200G收发芯片组，将SiGe工艺实现的超高速复用器/解复用器芯片及CMOS工艺实现的高速混合信号SerDes收发芯片异质集成，光传输侧实现单通道200G数据传输，电侧避免信道损耗随数据率翻倍而恶化，与业界方案相比实现10.75 pJ/b的最优系统能效及小于10纳秒的最优系统延时。

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