专利名称：一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法

发明设计人：王来利 , 侯震鹏 , 孙立杰 , 赵成 , 裴云庆 , 杨旭 , 甘永梅 , 张虹

专利类型：发明

申请号：CN202110302888.4

是否职务专利：否

申请日期：2021-03-22

发布时间：2025-04-30