课题组与北京大学、德国莱布尼茨微电子所等单位合作的关于RRAM界面效应及物理的论文“Operando diagnostic detection of interfacial oxygen ‘breathing’ of resistive random access memory by bulk-sensitive hard X-ray photoelectron spectroscopy”今天发表在中科院一区期刊Mater. Res. Lett.上（影响因子7.44）。论文利用硬X射线光电子能谱的方法揭示了阻变反转过程中氧化铪/电极界面的氧化特性及其对于器件性能的重要影响。论文的第一单位是西安交大，牛刚老师为通讯作者。