博士生刘逸为在WoDiM大会上做口头报告
发布时间：2018-06-15
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- 2018-06-15
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- 博士生刘逸为在WoDiM大会上做口头报告
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博士生刘逸为关于HfO2基MOS结构发光的工作被大会遴选为口头报告。两年一度的WoDiM会议是电子学介电领域的著名权威国际会议，它将学术界和工业界的专家聚集在一起，讨论电子学中的介电薄膜和纳米结构以及应用于低能耗器件的介电体方面的最新进展，参会专家超过200人。刘逸为做了题为“Effect of Si substrate doping type on light emission from HfO2 high-k dielectric layer ”的报告，引起了广泛兴趣。