课题组关于氧化铪基阻变内存器件的文章发表于J. Phys. Chem. C
发布时间：2017-03-13
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- 2017-03-13
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- 课题组关于氧化铪基阻变内存器件的文章发表于J. Phys. Chem. C
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课题组与西班牙自由大学、德国莱布尼兹微电子所合作的关于氧化铪基集成器件中残余碳杂质的影响的文章发表于期刊J. Phys. Chem. C (影响因子=4.5)上。
Gang Niu et al., “Mechanism of the Key Impact of Residual Carbon Content on the Reliability of Integrated Resistive Random Access Memory Arrays”, Journal of Physical Chemistry C, 2017, 121 (12): 7005–7014.