(1) 半导体器件、半导体工艺、真空电子器件与应用

典型研究案例

       基于原子层沉积技术，针对微通道板电子倍增器的功能层设计与制备提出优化策略，显著提升了器件增益性能。研究中，通过引入新型种类的复合薄膜，结合高导电金属与绝缘材料的协同作用，实现了导电层电阻的宽范围调控；同时，优化二次电子发射层的厚度参数，通过纳米级精度调控，显著提升了微通道板增益，并且有效平衡了电荷积累抑制与高电子产率需求。基于上述优化，所制备的微通道板在高压偏置下展现出优异的增益性能与信号均匀性，且无明显饱和效应。进一步通过光电成像系统的集成验证，该微通道板在成像系统中表现出高灵敏度和高分辨率以及弱光条件下的清晰成像能力。

未沉积或已沉积功能层的微通道板器件的物理照片（a）无任何功能层的裸微通道板基底（b）沉积导电层和二次电子发射功能层后的微通道板器件

（c）沉积金属电极后的微通道板器件

不同二次电子发射功能层厚度的微通道板器件增益性能对比

(2) 射频器件与电路集成、微波放电与等离子体

(3) 真空电子发射现象及电子倍增放电可靠性问题