Our progress on D4h SIM was reported by WileyChem!

       单分子磁体由于在未来高密度信息存储方面具有潜在应用而备受关注。西安交通大学郑彦臻教授课题组通过同时增强轴向和减弱Dy(III)基赤道平面的配体场作用合成了三个六配位的具有局部D4h对称性的单分子磁体[Dy(O^tBu)₂(L)₄]⁺。其中L = 4-苯基吡啶的能垒为2075(11) K，在目前单分子磁体能垒中排第三高。从头算计算表明，强的单轴磁各向异性与轴向压缩的八面体配位构型密切相关。

         基于之前课题组建立的合成具有D_5h对称性的镝基单分子磁体的方法，我们进一步选择了一些体积较大的吡啶衍生物（L）作为平面配体，轴向仍保留叔丁醇(-O^tBu)配体，通过溶液中的自组装，成功得到了具有局部D_4h对称性的三个配合物[Dy(O^tBu)₂(L)₄]+，其中L = 4-苯基吡啶(1)；L = 1-4-哌啶-1-基吡啶(2); L = 4-吡咯烷-1-基吡啶(3)。磁性研究表明，它们的Ueff分别为2075(11)，1886(9)和1810(6)K；配合物1不仅具有目前SMM中的第三大U_eff，而且是轴向对称性配合物中第一个能垒超过2000 K的SMM。该研究在具有D4h对称性的六配位Dy化合物的设计方法上实现了新的突破，并为获得具有更高性能的SMM提供了新的可能。

相关结果在线发表在Chem. Eur. J.（DOI: 10.1002/adfm.202004744）上。

该工作被WileyChem报道，报道链接：https://mp.weixin.qq.com/s/r2TGpK0ahC-mViFuXudW4w