TDDB Mechanism in a-Si/TiO2 Nonfilamentary RRAM Device
发布时间：2025-04-30
点击次数：
- 发布时间：
- 2025-04-30
- 论文名称：
- TDDB Mechanism in a-Si/TiO2 Nonfilamentary RRAM Device
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 合写作者：
- Jigang Ma; Zheng Chai; Wei Dong Zhang; Jian Fu Zhang; John Marsland; Bogdan Govoreanu; Robin Degraeve; Ludovic Goux; Gouri Sankar Kar
- 卷号：
- Volume: 66, Issue: 1
- 页面范围：
- 777 - 784
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-12-02