祝贺张淞婷同学在《发光学报》发表综述：铜(Ⅰ)基卤化物材料的结构调控、光学性质及光电器件应用研究进展

https://cjl.lightpublishing.cn/zh/article/doi/10.37188/CJL.20250167/

铜(Ⅰ)基卤化物材料，作为一类新兴的无铅光电材料，因其独特的物理化学性质、丰富的结构多样性和优异的光电性能，近年来在光电器件领域备受关注。本文系统综述了铜(Ⅰ)基卤化物材料的最新研究进展，从晶体结构设计出发，深入探讨了其电子特性、光学性质及可控合成策略。研究发现，铜(Ⅰ)基卤化物材料通过结构调控（如A位阳离子选择、卤素组分优化），不仅继承了铅基钙钛矿的高荧光量子产率与光谱可调性，还显著提升了材料的稳定性和环境适应性，有效解决了铅基钙钛矿材料的毒性及不稳定性问题。一般认为其宽谱发射特性源于自陷激子发光机制，表现为大斯托克斯位移、长发光寿命及强激子-声子耦合特性。本文介绍了其单晶、纳米晶和薄膜的合成技术，并总结了该材料在发光二极管（LEDs）、光电探测器、X射线闪烁体等光电器件领域的研究进展。例如，基于铜(Ⅰ)基卤化物材料的绿光LED的外量子效率突破13%，基于Cs₃Cu₂I₅薄膜的深紫外光电探测器实现了17.8 A W^-1 的高响应度，而Cs₃Cu₂I₅闪烁体的光产额达79279光子/MeV。未来，通过精准调控材料维度、优化器件界面工程及探索新型应用场景，铜(Ⅰ)基卤化物材料有望推动光电器件向高效、环保、多功能化方向发展。