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耿英三
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Patents
一种新型永磁体复合磁场触头结构及其应用的真空灭弧室
Release Time:2025-04-30 Hits:
Title:
一种新型永磁体复合磁场触头结构及其应用的真空灭弧室
Disigner of the Invention:
刘志远,马 慧,王建华,耿英三,闫 静,王振兴,张在秦
Type of Patent:
Invent
Application Number:
ZL 201610027665.0
Service Invention or Not:
No
Application Date:
2017-11-03
Date:
2025-04-30

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