近日，被誉为“芯片奥林匹克”的IEEE国际固态电路会议（ISSCC）2026中国区发布会成功召开，会上揭晓了最新一届会议的论文录用结果，并分享了全球芯片领域的前沿动态。

本届ISSCC收到全球共1025篇投稿论文，竞争异常激烈，最终仅有257篇论文入选，每篇论文都代表着当前芯片领域最前沿的研究成果。西安交通大学微电子学院桂小琰教授团队112Gb/s全双工收发芯片研究成果成功入选，这也是桂小琰教授团队近年来第三篇入选ISSCC的有线通讯芯片成果，标志着团队在有线通讯芯片设计领域持续保持国际一流水准，展现了西安交通大学集成电路人的坚守与传承。

论文信息：

“A 112Gb/s PAM-4 SBD Transceiver with Mismatch-Compensated 2×VDD Hybrid and Two-Step Echo Canceller in 28nm CMOS” ，第一作者为我院博士研究生孙焕发。

论文展示的成果聚焦于高速有线通信收发机芯片设计，面向数据中心高带宽密度互连应用，创新性地提出了带有失配补偿的2×VDD混合电路架构（Hybrid）和两步式回声消除技术（Echo Canceller）。基于28nm CMOS工艺，芯片实现了单通道112Gb/s PAM-4的同时双向传输（SBD）。对比同行已发表的收发机芯片工作，该成果实现了目前国际上同类型成果中的最佳品质因数(FoM)。

本研究得到了国家自然科学基金的大力支持。