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CMOS压摆率控制驱动器发明专利获批

发布时间:2020-06-02
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2020-06-02
文章标题:
CMOS压摆率控制驱动器发明专利获批
内容:

 

驱动器的输出信号压摆率与驱动器的电路结构、负载特性、工艺偏差、工作环境温度变化和供电电压变化等因素相关。信号变化的速率越快,其所包含的高频分量的能量越大,降低传输信号的压摆率,可以显著减少信号中所含有的高频分量的能量和辐射强度,从而有效的降低信号辐射导致的电磁串扰。而随着当今所传输数据率的快速提升,驱动器的输出信号高频成分引起的电磁串扰和电磁兼容问题愈发严重,解决电磁干扰逐渐成为驱动器设计所面临的重要挑战。因此,在设计输出信号压摆率控制驱动器的时候,有必要采取措施,在保证传输速率的前提下,降低输出信号压摆率。

 

本发明的目的在于提供一种应用于输出信号压摆率控制的CMOS驱动器,以解决传统输出信号压摆率控制驱动器在工艺偏差、工作环境温度变化和供电电压变化的影响下,驱动能力变化较大导致输出信号压摆率发生较大变化的问题。本发明CMOS驱动器,可以有效地降低输出信号跳变沿的上升和下降速度,并使输出信号跳变沿的上升和下降速度在PVT的影响下在较小的范围内发生变化,实现输出信号压摆率的控制。