一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法
Release Time:2025-04-30
Hits:
- Title:
- 一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法
- Disigner of the Invention:
- 王来利 , 侯震鹏 , 孙立杰 , 赵成 , 裴云庆 , 杨旭 , 甘永梅 , 张虹
- Type of Patent:
- Invent
- Application Number:
- CN202110302888.4
- Service Invention or Not:
- No
- Application Date:
- 2021-03-22
- Date:
- 2025-04-30
- Prev One:基于开关电容和耦合电感技术的超高压降压型DC-DC变换器
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