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刘志远

教授 博士生导师 硕士生导师

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  • 学历: 博士研究生毕业
  • 学位: 博士
  • 职称: 教授
  • 毕业院校: 西安交通大学
  • 学科: 电气工程

论文成果

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高电压真空断路器温升影响因素的仿真研究

发布时间:2025-04-30
点击次数:
发布时间:
2025-04-30
论文名称:
高电压真空断路器温升影响因素的仿真研究
发表刊物:
高压电器
摘要:
以一种高电压真空断路器模型为研究对象, 对影响真
空断路器温升的散热表面对流换热系数、动静触头接触点半
径、接触点位置以及导电杆的半径4 种因素进行了仿真研
究。研究结果表明, 在考虑散热表面辐射和不考虑辐射两种
情况下, 动、静触头接触处的温度差别在5%以内, 而考虑散
热表面的辐射后, 接线端子的温度下降了14%。真空断路器
温升随着动静触头接触点半径的增大迅速降低而与接触点
位置无关, 但当接触点半径增大至2 mm 以后, 温升降低趋势
已不明显。真空断路器温升随着导电杆半径的增大而降低,
其中触头接触处温度降低的趋势最为显著, 但当导电杆半径
增大至25 mm 以后, 温升降低趋势已不明显。
合写作者:
余小玲,魏义江,刘志远,冯全科,王季梅
卷号:
2007,43(3)
页面范围:
179-182
是否译文:
发表时间:
2007-11-15