刘志远

Date:

2025-04-30

Title of Paper:

国内外开发研究高压真空断路器和向超高压发展的概况

Journal:

电气技术

Summary:

我国自主专利产权开发的126kV单断口真空断路器说明我国有能力制造126kV等级的真空断路器。
该真空断路器的主要部件真空灭弧室是自行设计开发的专利产品，并且首次采用了硅油和β－油作为
真空灭弧室的外绝缘材料，真空断路器的额定电流通过了一系列的措施由1600A提高到2000A，并实
现了真空断路器的同步分合闸等功能。西安交通大学真空电弧理论研究和产品开发组联合温岭市紫
光电器公司和陕西斯瑞工业有限公司触头研究室等，经过一年多的精心设计和实验试制研究，已于
2006 年4 月4 日制造出我国第一台252kV单断口真空断路器用的真空灭弧室样机。

Co-author:

王季梅，刘志远，修士新，王仲奕

Volume:

2006年第12期

Page Number:

5-9

Translation or Not:

No

Date of Publication:

2006-11-01