半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟
发布时间：2025-04-30
点击次数：
- 发布时间：
- 2025-04-30
- 论文名称：
- 半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟
- 发表刊物：
- 强激光与粒子束
- 摘要：
- 为了研究掺杂结构为ｐ＋-ｐ-ｎ-ｎ＋ 的半导体断路开关的ｎｓ脉冲截断机理，根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流电压关系表达式，提出了一种外电路方程和载流子流体力学方程联立求解的１维耦合数值模型。采用该模型对半导体断路开关的ｎｓ脉冲截断过程进行了数值模拟，模拟结果表明：在截断过程中，ｎ-ｎ＋ 结处的载流子数密度首先开始明显降低，并出现高电场，随后ｐ＋-ｐ结处也出现类似现象，随着载流子的抽取，高电场区域向ｐｎ结处快速移动，最终在ｐｎ结处完成截断，而基区载流子数密度在截断前后无明显变化
- 合写作者：
- 李中杰, 李永东, 王洪广等
- 卷号：
- 22(6)
- 页面范围：
- 1411-1414
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2010-06-02