专利名称：

基于第二类外尔半金属二碲化钼的光电探测器及其探测方法

发明设计人：

孙栋，赖佳伟，马骏超

专利类型：

发明

申请号：

ZL201711256309.7

是否职务专利：

否

申请日期：

2017-12-04

发布时间：

2025-04-30