一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管异质集成方法
Release Time:2025-04-30
Hits:
- Title:
- 一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管异质集成方法
- Disigner of the Invention:
- 吴胜利，阮坤，胡文波，王康，王宏兴
- Type of Patent:
- Invent
- Application Number:
- 2019102225727
- Service Invention or Not:
- No
- Application Date:
- 2019-03-22
- Date:
- 2025-04-30
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