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课题组在绝缘驻极体器件领域取得进展
发布时间：2016-11-03
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- 2016-11-03
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- 课题组在绝缘驻极体器件领域取得进展
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课题组在绝缘驻极体器件领域取得进展。我们在场效应晶体管半导体层和栅极电介质之间加入一层高分子绝缘层，并利用栅极应力让电荷注入到高分子绝缘层中，形成沿着沟槽方向不均匀分布的驻极体。通过非均匀绝缘驻极体产生的非均匀电场，调控了电子器件的性能。我们提出的新理论模型和数值模拟的结果完美解释了实验观察的调制特性。
该工作近期以长文形式发表在APS麾下的物理一区期刊Physical Review Applied上，西安交通大学为独立完成单位，鲁广昊为唯一通讯作者。
