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课题组在基于绝缘驻极体的晶体管研发方面取得进展
发布时间：2015-08-04
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- 发布时间：
- 2015-08-04
- 文章标题：
- 课题组在基于绝缘驻极体的晶体管研发方面取得进展
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In-situ Tuning Threshold Voltage of Field-Effect Transistors Based on Blends of Poly(3-hexylthiophene) with an Insulator Electret Applied Physics Letters 2015, 107, 063301.
课题组在基于绝缘驻极体的晶体管研发方面取得进展。通过调控器件的阈值电压，实现了在增强型和耗尽型两种模式的场效应晶体管之间的快速可逆切换。通过两种不同模式晶体管的组合使用，课题组制备了一系列功能电路，可用于电压变换和信号处理。 相关工作近期被应用物理类旗舰刊物Applied Physics Letters接收。鲁广昊为第一作者和唯一通讯作者。
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