成永红教授与孟国栋博士及两位博士研究生参加2018年电介质国际会议（ICD2018）参会
- 发布时间：
- 2018-07-06
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- 成永红教授与孟国栋博士及两位博士研究生参加2018年电介质国际会议（ICD2018）参会
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2018年7月1日至5日，课题组成永红教授、孟国栋博士及博士生张笃佼、高新宇赴匈牙利布达佩斯参加2018年第二届国际电介质会议（2nd IEEE International Cnference on Dielectrics），并行了海报报告，题目分别为：“Role of thermal properties of cathode materials for the nanoscale breakdown in vacuum”，“Effect of Flow Rate and Precursor Sublimation Temperature on the LPCVD Growth of Hexagonal Boron Nitride”，“Numerical simulation of gas breakdown in microgaps based on PICMCC method”。
会议期间，与介质放电领域的相关学者进行了深入的交流，并对二维材料h-BN的制备与改性进行了讨论与了解。
与外国学者讨论的孟国栋老师 孟国栋老师及他的文章海报 高新宇博士